半導体研究
石英管に真空封入した試料を加熱。
高周波誘導加熱装置
MU-αシリーズは、従来大型・高価格だった加熱装置をパソコンサイズに凝縮。
物性の研究、半導体の研究、試料作成などの研究開発に最適な機能を備えた、省スペースと高スペックを実現した高周波誘導加熱装置です。
最高温度
高融点材料カーボン、タングステン、モリブデンるつぼを用いることにより最高温度2200℃を可能にします。
［例］真空中で断熱遮断光材にカーボンファイバーを用いてカーボンを加熱。
概要
製造元：SKメディカル電子株式会社
仕様
- 急速加熱が行える。
- 金属を直接加熱すると、30gのCo-Cr合金であれば、1400℃(融点)迄約20秒で加熱することができる。
- 冷却スピードが早い。
- 無機材料でできたルツボや炉芯菅は加熱されないので冷却が早い。
- 炉芯管に石英管を使用すると内部が観察できる。
- 無機材料でもカーボンルツボ等を使用することで間接加熱できる。
- 必要な部位のみでの加熱ができる。
- セラミックやプラスチックと金属複合体の場合には、金属のみを加熱することができる。
- 構造が簡単なのでメンテナンスも容易である。
- 応用分野としては、グローブボックス等に組込め、不活性ガス中で加熱溶解、燃成が行える。
流体加熱
流路内に各種発熱体（カーボンハニカム、金属リングなど）を配し、液体、粉体、気体を加熱。
電極封入
局部的に加熱しガラスを溶融させ電極を封入。
焼き入れ、焼きなまし
20φ.SUS丸棒の場合約30秒で600℃
直接加熱
一般的な加熱方法である金属を直接加熱。
真空（ガス置換）
真空．ガス置換ユニット（オプション）にてに試料周辺のみを容易に雰囲気制御可能。
間接加熱
純Si、ガラス、灰など誘導によって直接発熱しない試料の加熱・溶融。
真空・加圧容器内
融点、沸点の異なる金属の合金作成や電池材料などの研究に。