| MU-1700シリーズは、従来大型・高価格だった加熱装置をパソコンサイズに凝縮。 物性の研究、半導体の研究、試料作成などの研究開発に最適な機能を備えた、省スペースと高スペックを実現した高周波誘導加熱装置です。 |
| 高融点材料カーボン、タングステン、モリブデンるつぼを用いることにより最高温度2200℃を可能にします。 |
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| ［例］ | ||
| 真空中で断熱遮断光材にカーボンファイバーを用いてカーボンを加熱。 |
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製造元： |
| ・ | 急速加熱が行える。 |
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| ・ | 金属を直接加熱すると、30gのCo-Cr合金であれば、1400℃(融点)迄約20秒で加熱することができる。 | |
| ・ | 冷却スピードが早い。 | |
| ・ | 無機材料でできたルツボや炉芯菅は加熱されないので冷却が早い。 | |
| ・ | 炉芯管に石英管を使用すると内部が観察できる。 | |
| ・ | 無機材料でもカーボンルツボ等を使用することで間接加熱できる。 | |
| ・ | 必要な部位のみでの加熱ができる。 | |
| ・ | セラミックやプラスチックと金属複合体の場合には、金属のみを加熱することができる。 | |
| ・ | 構造が簡単なのでメンテナンスも容易である。 | |
| ・ | 応用分野としては、グローブボックス等に組込め、不活性ガス中で加熱溶解、燃成が行える。 |
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半導体研究 石英管に真空封入した試料を加熱。 |
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流体加熱 流路内に各種発熱体（カーボンハニカム、金属リングなど）を配し、液体、粉体、気体を加熱。 |
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| 電極封入 局部的に加熱しガラスを溶融させ電極を封入。 |
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焼き入れ、焼きなまし 20φ.SUS丸棒の場合約30秒で600℃ |
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| 直接加熱 一般的な加熱方法である金属を直接加熱。 |
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真空（ガス置換） 真空．ガス置換ユニット（オプション）にてに試料周辺のみを容易に雰囲気制御可能。 |
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| 間接加熱 純Si、ガラス、灰など誘導によって直接発熱しない試料の加熱・溶融。 |
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真空・加圧容器内 融点、沸点の異なる金属の合金作成や電池材料などの研究に。 |
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